Scopul principal al acestui studiu prezentat aici este de a îmbunătăți eficiența unor astfel de dispozitive prin utilizarea materialelor cu costuri reduse și a disilicidului de bariu (BaSi2) disponibil pe scară largă ca strat absorbant. În stratul de fereastră, transmisia luminii SnO2 a fost mult mai mare decât alte materiale precum (SiO2) în întreaga regiune spectrală. Structura celulei constă din Al/SnO2:F/InS3/BaSi2:B/Cu, rezultând o structură alternativă de Al/BaSi2:B/In2S3/FTO/Cu, cu oxid de staniu dopat cu fluor (FTO) ca strat de fereastră. Se utilizează In2S3 complet netoxic și rentabil ca strat tampon având o bandă interzisă (2,84eV) care ajută la evitarea fotonilor cu energie mai mică. Grosimea stratului absorbant BaSi2:B variază de la 0,6 la 2 µm pentru a optimiza dispozitivul. S-a atins o eficiență de 31,71% împreună cu o tensiune în circuit deschis de 1,0735V (Voc), o densitate de curent de scurtcircuit de 34,43 mA/cm2 (Jsc) și 85,79% factor de umplere (FF). Am folosit software-ul comercial SCAPS-1D pentru a analiza acele straturi
: The main purpose of this study presented herein is to improve the efficiency of such devices by using low-cost materials and widely available Barium disilicide (BaSi2) as absorber layer. In the window layer, the light transmittance SnO2 was much higher than other materials like (SiO2) throughout the whole spectral region. The cell structure consists of Al/SnO2:F/InS3/BaSi2:B/Cu, resulting in the alternative structure of Al/BaSi2:B/In2S3/FTO/Cu, with fluorine-doped tin oxide (FTO) as the window layer. Use entirely non-toxic and cost-effective In2S3 as a buffer layer having a band gap (2.84eV) that helps in avoiding the lower energy photons. The BaSi2:B absorber layer’s thickness varies from 0.6 to 2 µm to optimize the device. 31.71% efficiency has accomplished along with 1.0735V open circuit voltage (Voc), 34.43 mA/cm2 short circuit current density (Jsc) and 85.79% Fill Factor (FF). Used commercial software SCAPS-1D to analysis those layers.
